GPU的晶体管密度每两年就会翻一番，阿迪这就不断需要更新工艺的支持，而随着半导体工艺接近亚纳米时代，静态漏电率也在随之翻番。
c)由PL光谱确定的I、达斯的衣A-和A的光子能量随应变的变化。给耐广告利用ZnO的压电性能来调控范德华异质结界面的载流子传输是非常有前景的。
克打f)WSe2-ZnOPD的响应度随光照强度的变化。阿迪c)寡层WSe2-ZnO纳米带柔性p-n光电探测器的工作原理示意图。达斯的衣b)从a图内插中突出显示的不同点获得的PL光谱。
给耐广告e)0%应变调节光生电荷的示意图。b)施加1V外部偏压后，克打在不同应变下光电流随光密度的变化。
阿迪d)压缩应变调节光生电荷的示意图。
一维ZnO具有优异的压电性能和高电子迁移率，达斯的衣可用于构建高性能的混合维度vdWsp-n异质结构。给耐广告在澳洲也能发挥梗类追杀小动物的技能。
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